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기본정보
| 모델 번호. | F8n60 |
| 배치 번호 | 2021 |
| 상표 | wxdh |
| 운송 패키지 | 튜브 |
| 등록 상표 | WXDH |
| 기원 | 중국 우시 |
| HS 코드 | 8541290000 |
제품 설명
| 설명 |
| 이러한 N채널 강화 VDMOSFET는 전도 손실을 줄이고 스위칭 성능을 개선하며 애벌런치 에너지를 향상시키는 자체 정렬 평면 기술을 통해 구현됩니다. RoHS 표준을 준수합니다. |
| 매개변수 | 상징 | 값 | 단위 | ||
| 8N60/I8N60/E8N60/B8N60/D8N60 | F8N60 | ||||
| 최대 드리안 소스 DC 전압 | VDS | 600 | V | ||
| 최대 게이트-드레인 전압 | VGS | ±30 | V | ||
| 배수 전류(연속) | 나디(T=25°C) | 7.5 | ㅏ | ||
| (T=100°C) | 4.8 | ㅏ | |||
| 드레인 전류(펄스형) | 나DM | 30 | ㅏ | ||
| 단일 펄스 눈사태 에너지 | 이자형처럼 | 400 | mJ | ||
| 피크 다이오드 복구 dv/dt | dv/dt | 5 | V/ns | ||
| 총 소산 | Ta=25°C | 프토 | 2 | 2 | 여 |
| 온도=25°C | 프토 | 100 | 35 | 여 | |
| 접합 온도 | 티제이 | 150 | °C | ||
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